**据路透社援引匿名消息人士报道，韩国存储芯片巨头 SK 海力士正与英特尔洽谈首次在美国制造 RAM 芯片。

**双方讨论了多种方案，其中之一是 SK 海力士租用英特尔计划中的俄亥俄州工厂空间生产芯片，双方还在考虑一家可能包含云服务提供商的合资企业。

**SK 海力士周三向 TechCrunch 表示：“SK 海力士正在探索各种选项以增强其全球竞争力，但目前尚未敲定任何具体计划或安排”，并称“尚未就文中所提的两种情景做出任何决定”。

**SK 海力士受益于 AI 数据中心对高带宽内存（HBM）芯片需求飙升，已在印第安纳州西拉法叶建设一座 38 亿美元的 AI 芯片先进封装与研究设施，预计 2029 年开始量产，该厂将使用韩国制造的 DRAM 晶圆封装成 HBM 芯片。

**若俄亥俄交易达成，该公司将生产何种类型的存储芯片尚不清楚；在全球芯片短缺加剧之际，特朗普政府正寻求扩大美国本土生产，白宫今年 1 月曾表示可能加征更广泛的关税。

据报道 SK 海力士正与英特尔洽谈在美国生产内存芯片